静电释放（ESD）是一种形式的玷污，它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦称为静电。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。

　　半导体制造中特别容易产生静电释放，因为硅片加工保持在较低的温度中，经典条件为40%±10%相对湿度（RH）。这种条件容易使较高级别的静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电生成，但是也会增加侵蚀带来的玷污，因而这种方法并不实用。

　　电气参数

　　1.工作电源：高性能内置锂电池

　　2.休眠电流：＜1mA

　　3.工作电流：＜5mA

　　4.工作温度： -40℃~60℃

　　5.响应时间：＜1s

　　6.接地电阻: ≤55Ω

　　7.防爆等级： ExiaIICT4 Gb

　　8.耐静电压：±20KV

　　9.报警方式：声光报警(＞90dB、30cm直线距离测量)

　　机械参数

　　1.立杆材质：304不锈钢

　　2.立杆直径： Φ38mm

　　3.立杆壁厚：1.0mm

　　4.产品高度：1m

　　5.触摸球直径： Φ90mm

　　6.安装法兰壁厚：3.0mm

　　7.接地电缆长度：3m直线PU电缆

　　产品特点

　　1.超低功耗设计，正常使用期间无需更换电池

　　2.触摸式感应，无机械活动部件

　　3.整体环氧树脂密封，防腐、防水、防潮

　　4.防爆触摸球，安全释放静电，人体接触不产生电击感

　　5.声光报警提示人体与防爆触摸球接触可靠和静电释放完毕

　　6.接地线独立检测，接地电阻符合标准，确保可靠接地