静电释放带来的问题

　　尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小（纳库伦级别），然而放电的能量积累在硅片上很小的一个区域内。发生在几个纳秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流，简直可以蒸发金属连线和穿透氧化层。放电也可能成为栅氧化层击穿的诱因。ESD带来的另一个重大问题在于，一旦硅片表面有了电荷积累，它产生的电场就能吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面。电视屏幕能吸引灰尘就是一个例子。此外，颗粒越小，静电对它的吸引作用越明显。随着器件关键尺寸的缩小，ESD对更小颗粒的吸引变得重要起来，能产生致命缺陷。为减少小颗粒玷污，硅片放电必须得到控制。

　　静电释放（ESD）是一种形式的玷污，它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦称为静电。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。

　　半导体制造中特别容易产生静电释放，因为硅片加工保持在较低的温度中，经典条件为40%±10%相对湿度（RH）。这种条件容易使较高级别的静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电生成，但是也会增加侵蚀带来的玷污，因而这种方法并不实用。